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Cos'è la 3D V-NAND e in che cosa si distingue dalla tecnologia esistente?
L'esclusiva e innovativa architettura di memoria flash 3D V-NAND di Samsung è un'assoluta novità che supera le limitazioni di densità, le prestazioni e la durata dell'attuale architettura planare della NAND tradizionale. La 3D V-NAND del 850 EVO è prodotta impilando verticalmente 32 strati di celle uno sull'altro invece di ridurre le dimensioni delle celle e cercare di adattarle in uno spazio orizzontale; questo processo porta un miglioramento delle prestazioni a parità di spazio.

Ottimizza le operazioni quotidiane di calcolo con la tecnologia TurboWrite per velocità di lettura / scrittura senza rivali.
Grazie alla tecnologia TurboWrite di Samsung ottieni prestazioni di lettura / scrittura imbattibili per massimizzare la tua esperienza quotidiana di calcolo. L'850EVO offre le prestazioni migliori della sua categoria nelle velocità di lettura (549 MB/s) e di scrittura (520 MB/s) sequenziale. **Scrittura random (QD32,120 GB): 36000 IOPS (840 EVO) > 88000 IOPS (850 EVO).

Con la modalità migliorata RAPID sei in pole position.
Abilita la modalita Rapid dal Software Magician per raddoppiare la velocità di elaborazione dei dati;infatti la modalità Rapid sfrutta la memoria Dram inutilizzata del PC come cache per aumentare le performance . Inoltre grazie alla nuova versione di Magician puoi Rapid utilizzerà fino a 4 GB di Dram (se il pc è dotato di 16 GB di dram).

Durabilità e affidabilità garantite grazie alla tecnologia 3D V-NAND.
L'850 EVO offre durabilità e affidabilità garantite raddoppiando i TBW* rispetto alla generazione precedente 840 EVO** oltre a offrire una garanzia di 5 anni. Inoltre le prestazioni del 850 EVO risultano migliori del 30% rispetto al 840 EVO, quando il ssd è sottoposto a carichi di lavoro elevati, dimostrandosi uno dei dispositivi per l'archiviazione più affidabili***. *TBW: byte totali scritti nel periodo di garanzia. **TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB),150 (850 EVO 500 / 1 TB). ***Prestazioni prolungate nel tempo (250 GB): 3300 IOPS (840 EVO) > 6500 IOPS (850 EVO), prestazioni misurate dopo 12 ore di test di “Scrittura random”.

Aumenta la durata della batteria del tuo notebook grazie alla 3D V-NAND.
Il nuovo controller del 850 EVO supporta la modalità Sleep del tuo notebook permettendoti di lavorare o videogiocare più a lungo. L'850 EVO è ora più efficiente dal punto di vista energetico del 25% rispetto all'840 EVO grazie alla 3D V-NAND che consuma solo metà dell'energia rispetto a una NAND 2D planare. *Alimentazione (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO).

Samsung 250GB 850 EVO [MZ-75E250B/EU]
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Prestazione
Capacità SSD250 GB
Interfacce SSDSerial ATA III
Velocità di trasferimento dati6 Gbit/s
Random read (4KB)97000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Random write (4KB)70000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Algoritmi di sicurezza supportati256-bit AES
S.M.A.R.T. supportSi
TRIM supportSi
Sistema operativo Windows supportatoSi
Disk drive
Velocità di lettura540 MB/s
Velocità di scrittura520 MB/s
Dimensioni di buffer del drive512 MB
Design
MTBF1500000 h
Fattore di forma dell'unità SSD2.5"
Altre caratteristiche
InternoSi
Dettagli tecnici
Colore del prodottoNero
Gestione energetica
Consumo di energia (in lettura)0,1 W
Consumo di energia (in scrittura)0,1 W
Power consumption (idle)0,045 W
Condizioni ambientali
Intervallo temperatura di funzionamento0 - 70 °C
Intervallo di temperatura40 - 85 °C
Umidità5 - 95%
Shock di non-funzionamento1500 G
Vibrazione di non-funzionamento20 G
Dimensioni e peso
Larghezza6,99 cm
Profondità10 cm
Altezza6,8 mm
Questo prodotto è stato aggiunto al nostro catalogo il giovedì 22 marzo, 2018.
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